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SI7102DN-T1-GE3

SI7102DN-T1-GE3

SI7102DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8

compliant

SI7102DN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.96685 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 12 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 35A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 2.5V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 110 nC @ 8 V
vgs (max) ±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3720 pF @ 6 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.8W (Ta), 52W (Tc)
température de fonctionnement -50°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8
paquet / étui PowerPAK® 1212-8
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Numéro de pièce associé

BSS84PW
BSS84PW
$0 $/morceau
IXTY12N06TTRL
IXTY12N06TTRL
$0 $/morceau
AON7436
IXFT30N60P
IXFT30N60P
$0 $/morceau
IRFS510A
IRFR6215TR
IXFX15N100
IXFX15N100
$0 $/morceau
BSF035NE2LQXUMA1
SIJ458DP-T1-GE3

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