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SI7106DN-T1-E3

SI7106DN-T1-E3

SI7106DN-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8

compliant

SI7106DN-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.61041 -
6,000 $0.58175 -
15,000 $0.56128 -
110470 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 12.5A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 2.5V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 27 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.5W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8
paquet / étui PowerPAK® 1212-8
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Numéro de pièce associé

IPW65R045C7FKSA1
DMP3050LSS-13
DMP4011SK3Q-13
APT30M40JVR
DMPH6050SK3-13
ZVP4424ZTA
ZVP4424ZTA
$0 $/morceau
IRF9Z14PBF
IRF9Z14PBF
$0 $/morceau
IPA60R099P6XKSA1
ZVN4206AV
ZVN4206AV
$0 $/morceau
IPW60R070P6XKSA1

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