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SI7111EDN-T1-GE3

SI7111EDN-T1-GE3

SI7111EDN-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8

compliant

SI7111EDN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.27239 -
6,000 $0.25471 -
15,000 $0.24587 -
30,000 $0.24105 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 60A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 2.5V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 8.55mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.6V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 46 nC @ 2.5 V
vgs (max) ±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 5860 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 52W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8
paquet / étui PowerPAK® 1212-8
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Numéro de pièce associé

STP6NK90Z
STP6NK90Z
$0 $/morceau
AOW66616
IRFZ44NPBF
FCPF380N60-F152
SCT3105KRC14
SCT3105KRC14
$0 $/morceau
BSS215PH6327XTSA1
IXFP80N25X3
IXFP80N25X3
$0 $/morceau
IRLU120NPBF
EPC2039
EPC2039
$0 $/morceau

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