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SI7112DN-T1-GE3

SI7112DN-T1-GE3

SI7112DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8

compliant

SI7112DN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.76358 -
6,000 $0.72773 -
15,000 $0.70212 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 11.3A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 7.5mOhm @ 17.8A, 10V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 27 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2610 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.5W (Ta)
température de fonctionnement -50°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8
paquet / étui PowerPAK® 1212-8
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Numéro de pièce associé

R6511KNXC7G
R6511KNXC7G
$0 $/morceau
BSS138
BSS138
$0 $/morceau
SUG90090E-GE3
SUG90090E-GE3
$0 $/morceau
RM20N650T2
RM20N650T2
$0 $/morceau
SCT040H65G3AG
IRF2807STRRPBF
SIHF9520S-GE3
SIHF9520S-GE3
$0 $/morceau
AOB260L
FQPF6P25
2N7002WT1G
2N7002WT1G
$0 $/morceau

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