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SI7212DN-T1-GE3

SI7212DN-T1-GE3

SI7212DN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8

non conforme

SI7212DN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.61041 -
6,000 $0.58175 -
15,000 $0.56128 -
1830 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4.9A
rds activé (max) à id, vgs 36mOhm @ 6.8A, 10V
vgs(th) (max) à id 1.6V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 11nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 1.3W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® 1212-8 Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8 Dual
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Numéro de pièce associé

NTLJD2105LTBG
NTLJD2105LTBG
$0 $/morceau
FDS6986AS
FDS6986AS
$0 $/morceau
FDMA6023PZT
FDMA6023PZT
$0 $/morceau
ZXMC3AM832TA
SIZF916DT-T1-GE3
NTHD5905T1
NTHD5905T1
$0 $/morceau
ALD212904PAL
DMN3135LVT-7
FDS6984AS
FDW2508P

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