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SI7230DN-T1-E3

SI7230DN-T1-E3

SI7230DN-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8

SOT-23

non conforme

SI7230DN-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.68880 -
6,000 $0.65646 -
15,000 $0.63336 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 9A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 12mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 20 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.5W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8
paquet / étui PowerPAK® 1212-8
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Numéro de pièce associé

NTD6N40
NTD6N40
$0 $/morceau
IRL540NPBF
BUK9M19-60EX
BUK9M19-60EX
$0 $/morceau
SI7623DN-T1-GE3
BSP171PH6327XTSA1
NVTFS005N04CTAG
NVTFS005N04CTAG
$0 $/morceau
R5007ANX
R5007ANX
$0 $/morceau
IPD50P04P4L11ATMA1
SI2301CDS-T1-BE3

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