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SI7402DN-T1-E3

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SI7402DN-T1-E3

MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8

non conforme

SI7402DN-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 12 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 13A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.8V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 5.7mOhm @ 20A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 850mV @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 55 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.5W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8
paquet / étui PowerPAK® 1212-8
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Numéro de pièce associé

BSC152N10NSFGATMA1
IXFR75N10Q
IXFR75N10Q
$0 $/morceau
IRF7822TRL
IRF7822TRL
$0 $/morceau
IPD06N03LA G
IXTV26N50P
IXTV26N50P
$0 $/morceau
IRF7821TRPBF-1
IRF3707SPBF
IPD12CN10N

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