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SI7425DN-T1-GE3

SI7425DN-T1-GE3

SI7425DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8

compliant

SI7425DN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 12 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 8.3A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.8V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 16mOhm @ 12.6A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 300µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 39 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.5W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8
paquet / étui PowerPAK® 1212-8
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Numéro de pièce associé

STL23NM60ND
STL23NM60ND
$0 $/morceau
IRLU7833
IRLU7833
$0 $/morceau
IRLR8103VPBF
IRFS31N20DTRR
AUIRLU3110Z
IPI80P03P4L04AKSA1
IXFH21N50Q
IXFH21N50Q
$0 $/morceau
STF28N60DM2
STF28N60DM2
$0 $/morceau
SI6443DQ-T1-E3
SI6443DQ-T1-E3
$0 $/morceau
NVD6824NLT4G
NVD6824NLT4G
$0 $/morceau

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