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SI7452DP-T1-E3

SI7452DP-T1-E3

SI7452DP-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8

compliant

SI7452DP-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 11.5A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 8.3mOhm @ 19.3A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 160 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.9W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8
paquet / étui PowerPAK® SO-8
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Numéro de pièce associé

IRF7457TRPBF
IPU60R1K0CEAKMA1
FDMC8026S
FDMC8026S
$0 $/morceau
IRFH5301TR2PBF
STI90N4F3
STI90N4F3
$0 $/morceau
IXTK120N25
IXTK120N25
$0 $/morceau
DMP6185SE-7
DMP6185SE-7
$0 $/morceau
BSS123L6327HTSA1
IRFBC30S
IRFBC30S
$0 $/morceau
FQAF7N80
FQAF7N80
$0 $/morceau

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