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SI7804DN-T1-GE3

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SI7804DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8

non conforme

SI7804DN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.59040 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6.5A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 18.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 1.8V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 13 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.5W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8
paquet / étui PowerPAK® 1212-8
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Numéro de pièce associé

SIHB8N50D-GE3
SIHB8N50D-GE3
$0 $/morceau
APT6013JFLL
IPD50R500CEAUMA1
NTMTS001N06CLTXG
NTMTS001N06CLTXG
$0 $/morceau
RM6005S4
RM6005S4
$0 $/morceau
IRFH8318TRPBF
SI7308DN-T1-E3
SI7308DN-T1-E3
$0 $/morceau
2SK4094-1E
2SK4094-1E
$0 $/morceau

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