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SI7806ADN-T1-E3

SI7806ADN-T1-E3

SI7806ADN-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8

non conforme

SI7806ADN-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.65420 -
6,000 $0.62348 -
15,000 $0.60154 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 9A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 11mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 20 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.5W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8
paquet / étui PowerPAK® 1212-8
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Numéro de pièce associé

DMG3415UQ-7
DMG3415UQ-7
$0 $/morceau
NVMFS6H858NLWFT1G
NVMFS6H858NLWFT1G
$0 $/morceau
IXTA76N25T
IXTA76N25T
$0 $/morceau
STD110N02RT4G
STD110N02RT4G
$0 $/morceau
FDS4080N7
APL602B2G
APL602B2G
$0 $/morceau
IXFN100N50P
IXFN100N50P
$0 $/morceau
SI2336DS-T1-BE3
C3M0025065K
C3M0025065K
$0 $/morceau

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