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SI7810DN-T1-E3

SI7810DN-T1-E3

SI7810DN-T1-E3

MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8

compliant

SI7810DN-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.58860 -
6,000 $0.56096 -
15,000 $0.54122 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3.4A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 6V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 62mOhm @ 5.4A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.5W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8
paquet / étui PowerPAK® 1212-8
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Numéro de pièce associé

PJQ5440_R2_00001
APT8015JVR
APT8015JVR
$0 $/morceau
NTTS2P02R2
NTTS2P02R2
$0 $/morceau
IRFBC40LCPBF-BE3
MSJU11N65-TP
SI2301-3A
SI2301-3A
$0 $/morceau
APT7F120B
APT7F120B
$0 $/morceau
IRFR4510TRPBF
IXFX24N100
IXFX24N100
$0 $/morceau

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