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SI7858BDP-T1-GE3

SI7858BDP-T1-GE3

SI7858BDP-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8

compliant

SI7858BDP-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.78720 -
6,000 $0.75024 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 12 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 40A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.8V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 2.5mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 84 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 5760 pF @ 6 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 5W (Ta), 48W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8
paquet / étui PowerPAK® SO-8
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Numéro de pièce associé

DMTH6016LFVWQ-13
AUIRF7737L2TR
SI7119DN-T1-E3
SI7119DN-T1-E3
$0 $/morceau
STFI4N62K3
STFI4N62K3
$0 $/morceau
IRF9630SPBF
IRF9630SPBF
$0 $/morceau
NVTFWS005N04CTAG
NVTFWS005N04CTAG
$0 $/morceau
NVMFS5C670NLAFT3G
NVMFS5C670NLAFT3G
$0 $/morceau
DMG3401LSNQ-7

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