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SI7892BDP-T1-GE3

SI7892BDP-T1-GE3

SI7892BDP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

compliant

SI7892BDP-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.80138 -
6,000 $0.77357 -
1664 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 15A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 4.2mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 40 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3775 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.8W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8
paquet / étui PowerPAK® SO-8
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Numéro de pièce associé

SQD07N25-350H_GE3
BUK768R1-40E,118
FQP630
FQP630
$0 $/morceau
IXTA220N04T2-TRL
IXTA220N04T2-TRL
$0 $/morceau
IRL40B209
IRL40B209
$0 $/morceau
R6046FNZ1C9
R6046FNZ1C9
$0 $/morceau
IAUC120N04S6N010ATMA1
FDA50N50
FDA50N50
$0 $/morceau
NTD4909N-35G
NTD4909N-35G
$0 $/morceau
IXTH3N200P3HV
IXTH3N200P3HV
$0 $/morceau

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