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SI7900AEDN-T1-GE3

SI7900AEDN-T1-GE3

SI7900AEDN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

compliant

SI7900AEDN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.55760 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6A
rds activé (max) à id, vgs 26mOhm @ 8.5A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 900mV @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 16nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 1.5W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® 1212-8 Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8 Dual
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Numéro de pièce associé

MSCSM70AM10CT3AG
BSG0813NDIATMA1
ALD114904SAL
FDME1024NZT
FDME1024NZT
$0 $/morceau
CSD87381PT
CSD87381PT
$0 $/morceau
DMN2710UDWQ-7
ALD1115PAL
DMG1016UDWQ-7
NTLJD2104PTBG
NTLJD2104PTBG
$0 $/morceau
AOC2804B

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