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SI7964DP-T1-GE3

SI7964DP-T1-GE3

SI7964DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8

compliant

SI7964DP-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 60V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6.1A
rds activé (max) à id, vgs 23mOhm @ 9.6A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 65nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 1.4W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® SO-8 Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual
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Numéro de pièce associé

FW344A-TL-2W
FW344A-TL-2W
$0 $/morceau
2N7002DW-7
2N7002DW-7
$0 $/morceau
FDMS3602S
BSL207NH6327XTSA1
MVDF2C03HDR2G
MVDF2C03HDR2G
$0 $/morceau
SI7940DP-T1-E3
SI7940DP-T1-E3
$0 $/morceau
STS8DNH3LL
STS8DNH3LL
$0 $/morceau
MCH6664-TL-W
MCH6664-TL-W
$0 $/morceau
SI7909DN-T1-GE3
FDS6986AS_SN00192
FDS6986AS_SN00192
$0 $/morceau

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