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SI7997DP-T1-GE3

SI7997DP-T1-GE3

SI7997DP-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8

non conforme

SI7997DP-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $1.12535 -
6,000 $1.08630 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 P-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 60A
rds activé (max) à id, vgs 5.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 160nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 6200pF @ 15V
puissance - max 46W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® SO-8 Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual
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Numéro de pièce associé

BSS84AKV,115
BSS84AKV,115
$0 $/morceau
DMN2025UFDB-13
SQJQ906EL-T1_GE3
DMT3020UFDB-7
TC8020K6-G
TC8020K6-G
$0 $/morceau
EFC6611R-TF
EFC6611R-TF
$0 $/morceau
DMN1003UCA6-7
FDC3601N
FDC3601N
$0 $/morceau
DMN67D8LDW-7

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