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SI8465DB-T2-E1

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SI8465DB-T2-E1

MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT

compliant

SI8465DB-T2-E1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.18050 -
490 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2.5A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 2.5V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 104mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 18 nC @ 10 V
vgs (max) ±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 450 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 4-Microfoot
paquet / étui 4-XFBGA, CSPBGA
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Numéro de pièce associé

FDU6N50TU
SISS66DN-T1-GE3
TN2425N8-G
TN2425N8-G
$0 $/morceau
BUK652R0-30C,127
BUK652R0-30C,127
$0 $/morceau
IPB80N06S2L09ATMA2
BSC265N10LSFGATMA1
STW70N60DM6-4
BUK9M6R6-30EX
BUK9M6R6-30EX
$0 $/morceau
AUIRF7640S2TR
BSH105,215
BSH105,215
$0 $/morceau

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