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SI8821EDB-T2-E1

SI8821EDB-T2-E1

SI8821EDB-T2-E1

MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT

compliant

SI8821EDB-T2-E1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.14339 -
6,000 $0.13470 -
15,000 $0.12601 -
30,000 $0.11558 -
75,000 $0.11123 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1.6A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 2.5V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 135mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (max) ±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 440 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 500mW (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 4-Microfoot
paquet / étui 4-XFBGA, CSPBGA
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Numéro de pièce associé

SI1021R-T1-GE3
SI1021R-T1-GE3
$0 $/morceau
SIHP15N60E-GE3
SIHP15N60E-GE3
$0 $/morceau
NDD60N360U1T4G
NDD60N360U1T4G
$0 $/morceau
IRL3705ZPBF
FDB7030BL-ON
FDB7030BL-ON
$0 $/morceau
RRR030P03HZGTL
STL7N80K5
STL7N80K5
$0 $/morceau
IXTT82N25P
IXTT82N25P
$0 $/morceau
IRF5802TRPBF

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