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SI8900EDB-T2-E1

SI8900EDB-T2-E1

SI8900EDB-T2-E1

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

non conforme

SI8900EDB-T2-E1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $1.71930 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 5.4A
rds activé (max) à id, vgs -
vgs(th) (max) à id 1V @ 1.1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 1W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 10-UFBGA, CSPBGA
package d'appareils du fournisseur 10-Micro Foot™ CSP (2x5)
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Numéro de pièce associé

AO4619
SI4228DY-T1-E3
SI4228DY-T1-E3
$0 $/morceau
AON5802ALS
FDMS3660S-F121
FDMS3660S-F121
$0 $/morceau
IRF7325PBF
AON5802BL
SIZ702DT-T1-GE3
IRF5850TRPBF
SLA5085
SLA5085
$0 $/morceau
IRF7379TR
IRF7379TR
$0 $/morceau

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