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SI9926BDY-T1-E3

SI9926BDY-T1-E3

SI9926BDY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC

compliant

SI9926BDY-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6.2A
rds activé (max) à id, vgs 20mOhm @ 8.2A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 20nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 1.14W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

IRF8915TR
IRF8915TR
$0 $/morceau
SI3588DV-T1-GE3
SI4532ADY-T1-GE3
SI4542DY-T1-GE3
DMC3018LSD-13
SI6993DQ-T1-E3
SI6993DQ-T1-E3
$0 $/morceau
NDS9958
NDS9958
$0 $/morceau
IRF5810
IRF5810
$0 $/morceau
APTM10TDUM09PG

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