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SIA108DJ-T1-GE3

SIA108DJ-T1-GE3

SIA108DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 6.6A/12A PPAK

non conforme

SIA108DJ-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.36762 $0.36762
500 $0.3639438 $181.9719
1000 $0.3602676 $360.2676
1500 $0.3565914 $534.8871
2000 $0.3529152 $705.8304
2500 $0.349239 $873.0975
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 80 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6.6A (Ta), 12A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 7.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 38mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 13 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 545 pF @ 40 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SC-70-6
paquet / étui PowerPAK® SC-70-6
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Numéro de pièce associé

IXFH18N65X2
IXFH18N65X2
$0 $/morceau
ECH8410-TL-H
ECH8410-TL-H
$0 $/morceau
PSMN015-60BS,118
IXTN17N120L
IXTN17N120L
$0 $/morceau
SISA16DN-T1-GE3
IPI50R199CPXKSA1
IRF7495TRPBF
BSC067N06LS3GATMA1
STH12N120K5-2
IPTG111N20NM3FDATMA1

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