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SIA400EDJ-T1-GE3

SIA400EDJ-T1-GE3

SIA400EDJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6

compliant

SIA400EDJ-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.24368 -
6,000 $0.22883 -
15,000 $0.21398 -
30,000 $0.20358 -
51000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 12A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 2.5V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 19mOhm @ 11A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 36 nC @ 10 V
vgs (max) ±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1265 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 19.2W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SC-70-6
paquet / étui PowerPAK® SC-70-6
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Numéro de pièce associé

STH400N4F6-2
STH400N4F6-2
$0 $/morceau
AOWF10N60
SQ3427AEEV-T1_BE3
C3M0045065K
C3M0045065K
$0 $/morceau
STP17N62K3
STP17N62K3
$0 $/morceau
IPD036N04LGATMA1
IPB020NE7N3GATMA1
IPP034NE7N3GXKSA1
NTD3055-150-1
NTD3055-150-1
$0 $/morceau
PSMN4R2-80YSEX

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