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SIA432DJ-T1-GE3

SIA432DJ-T1-GE3

SIA432DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6

compliant

SIA432DJ-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.52480 -
6,000 $0.50016 -
15,000 $0.48256 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 12A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 20mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 800 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SC-70-6
paquet / étui PowerPAK® SC-70-6
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Numéro de pièce associé

NTD4858NT4G
NTD4858NT4G
$0 $/morceau
SQJ403BEEP-T1_BE3
IPT60R080G7XTMA1
FQI9N50TU
STP10N60M2
STP10N60M2
$0 $/morceau
IPW65R041CFDFKSA2
BSC100N06LS3GATMA1
MMFT3055ET1
MMFT3055ET1
$0 $/morceau

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