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SIA4371EDJ-T1-GE3

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P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE

non conforme

SIA4371EDJ-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.56000 $0.56
500 $0.5544 $277.2
1000 $0.5488 $548.8
1500 $0.5432 $814.8
2000 $0.5376 $1075.2
2500 $0.532 $1330
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6.4A (Ta), 9A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 2.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 45mOhm @ 3.7A, 10V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (max) ±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SC-70-6
paquet / étui PowerPAK® SC-70-6
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Numéro de pièce associé

NVTFWS002N04CTAG
NVTFWS002N04CTAG
$0 $/morceau
IXFT36N60P
IXFT36N60P
$0 $/morceau
IXFA34N65X2-TRL
IXFA34N65X2-TRL
$0 $/morceau
FDD8444
FDD8444
$0 $/morceau
2SK3221-AZ
STD150N3LLH6
STD150N3LLH6
$0 $/morceau
FQB12N60TM
NVMFS5C460NLAFT1G
NVMFS5C460NLAFT1G
$0 $/morceau

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