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SIA447DJ-T1-GE3

SIA447DJ-T1-GE3

SIA447DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6

compliant

SIA447DJ-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.19007 -
6,000 $0.17848 -
15,000 $0.16690 -
30,000 $0.15879 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 12 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 12A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.5V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 13.5mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 850mV @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 80 nC @ 8 V
vgs (max) ±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2880 pF @ 6 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 19W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SC-70-6
paquet / étui PowerPAK® SC-70-6
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Numéro de pièce associé

PMV100EPAR
PMV100EPAR
$0 $/morceau
FQI4N80TU
FDP4D5N10C
FDP4D5N10C
$0 $/morceau
RTF015P02TL
RTF015P02TL
$0 $/morceau
2SK3800
2SK3800
$0 $/morceau
BSC010N04LSATMA1
RD3L08BGNTL
RD3L08BGNTL
$0 $/morceau
IPP80N06S2L11AKSA2
IRF9Z34STRRPBF
IRF9Z34STRRPBF
$0 $/morceau
HUF76445S3S

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