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SIA449DJ-T1-GE3

SIA449DJ-T1-GE3

SIA449DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6

compliant

SIA449DJ-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.18050 -
6,000 $0.16950 -
15,000 $0.15850 -
30,000 $0.15080 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 12A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 2.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 20mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 72 nC @ 10 V
vgs (max) ±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2140 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SC-70-6
paquet / étui PowerPAK® SC-70-6
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Numéro de pièce associé

APT47N60BC3G
FQB50N06LTM
FQB50N06LTM
$0 $/morceau
IPI076N15N5AKSA1
APT50M75JFLL
STD4N62K3
STD4N62K3
$0 $/morceau
RM12N650T2
RM12N650T2
$0 $/morceau
RQ6L035ATTCR
RQ6L035ATTCR
$0 $/morceau
FQB5N60CTM
SISS63DN-T1-GE3

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