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SIA465EDJ-T1-GE3

SIA465EDJ-T1-GE3

SIA465EDJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6

compliant

SIA465EDJ-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
6,000 $0.17628 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 12A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 2.5V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 16.5mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 72 nC @ 10 V
vgs (max) ±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2130 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 19W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SC-70-6 Single
paquet / étui PowerPAK® SC-70-6
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Numéro de pièce associé

APTM120UM70FAG
IPB65R041CFD7ATMA1
DMTH10H003SPSW-13
SIHB186N60EF-GE3
NVTFWS007N08HLTAG
NVTFWS007N08HLTAG
$0 $/morceau
DMN67D8LV-7
DMN67D8LV-7
$0 $/morceau
RJK6002DPH-E0#T2
RJK6002DPH-E0#T2
$0 $/morceau
2SJ607-ZJ-AZ
2SJ607-ZJ-AZ
$0 $/morceau
MCAC80P06Y-TP

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