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SIA468DJ-T1-GE3

SIA468DJ-T1-GE3

SIA468DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70

non conforme

SIA468DJ-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.26082 -
6,000 $0.24493 -
15,000 $0.22903 -
30,000 $0.21791 -
947 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 37.8A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 8.4mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 16 nC @ 4.5 V
vgs (max) +20V, -16V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1290 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 19W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SC-70-6
paquet / étui PowerPAK® SC-70-6
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Numéro de pièce associé

FQB6N90TM
NDS0610
NDS0610
$0 $/morceau
FDMC8878
FDMC8878
$0 $/morceau
NTR4503NT1G
NTR4503NT1G
$0 $/morceau
SCH1332-TL-H
SCH1332-TL-H
$0 $/morceau
STW5NK100Z
STW5NK100Z
$0 $/morceau
CSD17559Q5
CSD17559Q5
$0 $/morceau
MGSF2N02ELT1G
MGSF2N02ELT1G
$0 $/morceau

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