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SIA485DJ-T1-GE3

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SIA485DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70

non conforme

SIA485DJ-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.22671 -
6,000 $0.21289 -
15,000 $0.19908 -
30,000 $0.18940 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 150 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1.6A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 6V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 2.6Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 6.3 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 155 pF @ 75 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 15.6W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SC-70-6
paquet / étui PowerPAK® SC-70-6
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Numéro de pièce associé

IXTA10P50P
IXTA10P50P
$0 $/morceau
TPS1101PWR
TPS1101PWR
$0 $/morceau
FQA13N50CF
IPN60R600P7SATMA1
IPP034N03LG
NVD5C460NT4G
NVD5C460NT4G
$0 $/morceau
FDG314P
FDG314P
$0 $/morceau
ISC012N04NM6ATMA1

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