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SIA918EDJ-T1-GE3

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SIA918EDJ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6

non conforme

SIA918EDJ-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.18772 -
6,000 $0.17628 -
15,000 $0.16484 -
30,000 $0.15683 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4.5A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 58mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 900mV @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 5.5nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 7.8W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® SC-70-6 Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SC-70-6 Dual
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Numéro de pièce associé

IRF9952TRPBF
FD6M043N08
AON5816
AO4886
FDS6898A
FDS6898A
$0 $/morceau
EMH2407-S-TL-H
EMH2407-S-TL-H
$0 $/morceau
FDJ1027P
SI4922BDY-T1-E3
EFC6612R-A-TF
EFC6612R-A-TF
$0 $/morceau

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