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SIA938DJT-T1-GE3

SIA938DJT-T1-GE3

SIA938DJT-T1-GE3

DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

compliant

SIA938DJT-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.70000 $0.7
500 $0.693 $346.5
1000 $0.686 $686
1500 $0.679 $1018.5
2000 $0.672 $1344
2500 $0.665 $1662.5
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 21.5mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 11.5nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 425pF @ 10V
puissance - max 1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® SC-70-6 Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SC-70-6 Dual
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Numéro de pièce associé

SIZ340DT-T1-GE3
FDW2512NZ
HUF76113DK8T
EL7222CSE9044-T7
EL7222CSE9044-T7
$0 $/morceau
IPG20N06S415AATMA1
FW276-TL-2H
STS4DPF20L
STS4DPF20L
$0 $/morceau
DMN62D0UDWQ-7
HUF75842S3

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