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SIAA02DJ-T1-GE3

SIAA02DJ-T1-GE3

SIAA02DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK

compliant

SIAA02DJ-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.63000 $0.63
500 $0.6237 $311.85
1000 $0.6174 $617.4
1500 $0.6111 $916.65
2000 $0.6048 $1209.6
2500 $0.5985 $1496.25
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 22A (Ta), 52A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 2.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 4.7mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) à id 1.6V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 33 nC @ 10 V
vgs (max) +12V, -8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1250 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SC-70-6
paquet / étui PowerPAK® SC-70-6
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Numéro de pièce associé

RQ5E035ATTCL
RQ5E035ATTCL
$0 $/morceau
IPAN60R210PFD7SXKSA1
IPI65R190C6XKSA1
STB18N60M2
STB18N60M2
$0 $/morceau
DMT8012LK3-13
PJA3441_R1_00001
IRFP4127PBF
IRF3205LPBF
RSJ400N10TL
RSJ400N10TL
$0 $/morceau

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