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SIB406EDK-T1-GE3

SIB406EDK-T1-GE3

SIB406EDK-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC75-6

compliant

SIB406EDK-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.22563 -
6,000 $0.21188 -
15,000 $0.19813 -
30,000 $0.18850 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 2.5V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (max) ±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 350 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.95W (Ta), 10W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SC-75-6
paquet / étui PowerPAK® SC-75-6
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Numéro de pièce associé

BUK9M9R1-40EX
BUK9M9R1-40EX
$0 $/morceau
SVD5865NLT4G
SVD5865NLT4G
$0 $/morceau
HUF76139S3ST
IRF7480MTRPBF
STP18N60M2
STP18N60M2
$0 $/morceau
NTD4858N-35G
NTD4858N-35G
$0 $/morceau
SUM40012EL-GE3
SUM40012EL-GE3
$0 $/morceau
IRFP150NPBF
SIHFPS37N50A-GE3
BSC146N10LS5ATMA1

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