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SIB422EDK-T1-GE3

SIB422EDK-T1-GE3

SIB422EDK-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6

compliant

SIB422EDK-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.19855 -
6,000 $0.18645 -
15,000 $0.17435 -
30,000 $0.16588 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 9A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.5V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 30mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 18 nC @ 8 V
vgs (max) ±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2.5W (Ta), 13W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SC-75-6
paquet / étui PowerPAK® SC-75-6
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Numéro de pièce associé

SIR696DP-T1-GE3
NTMFS024N06CT1G
NTMFS024N06CT1G
$0 $/morceau
NTMFSC0D9N04CL
NTMFSC0D9N04CL
$0 $/morceau
MTDF1C02HDR2
MTDF1C02HDR2
$0 $/morceau
IPD60N10S412ATMA1
FCMT099N65S3
FCMT099N65S3
$0 $/morceau
IRFP4568PBF
STH275N8F7-6AG
IPAN70R600P7SXKSA1
SI3429EDV-T1-GE3

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