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SIB900EDK-T1-GE3

SIB900EDK-T1-GE3

SIB900EDK-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

non conforme

SIB900EDK-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.22563 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1.5A
rds activé (max) à id, vgs 225mOhm @ 1.6A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 1.7nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 3.1W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® SC-75-6L Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SC-75-6L Dual
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Numéro de pièce associé

IRF5810TR
IRF5810TR
$0 $/morceau
BSC072N03LDGATMA1
STS3C2F100
STS3C2F100
$0 $/morceau
IPI60R199CP
IRF7306TR
IRF7306TR
$0 $/morceau
EPC2105ENGRT
EPC2105ENGRT
$0 $/morceau
EPC2104ENGRT
EPC2104ENGRT
$0 $/morceau
SIZ900DT-T1-GE3
SIZ916DT-T1-GE3

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