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SIB912DK-T1-GE3

SIB912DK-T1-GE3

SIB912DK-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

non conforme

SIB912DK-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.19855 -
6,000 $0.18645 -
15,000 $0.17435 -
30,000 $0.16588 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1.5A
rds activé (max) à id, vgs 216mOhm @ 1.8A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 3nC @ 8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 95pF @ 10V
puissance - max 3.1W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® SC-75-6L Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SC-75-6L Dual
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Numéro de pièce associé

MSCSM120HM16CT3AG
DMC1015UPD-13
CSD87503Q3E
CSD87503Q3E
$0 $/morceau
DMP2200UDW-13
DMC2020USD-13
SI4532DY
SI4532DY
$0 $/morceau
QH8KB5TCR
QH8KB5TCR
$0 $/morceau
SP8K3FRATB
SP8K3FRATB
$0 $/morceau
DMC2710UVT-13

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