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SIDR392DP-T1-GE3

SIDR392DP-T1-GE3

SIDR392DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 82A/100A PPAK

compliant

SIDR392DP-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $1.30309 -
6,000 $1.25483 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 82A (Ta), 100A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 0.62mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 188 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 9530 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8DC
paquet / étui PowerPAK® SO-8
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Numéro de pièce associé

FDP047AN08A0-F102
FDP047AN08A0-F102
$0 $/morceau
STP13NM60N
STP13NM60N
$0 $/morceau
IXFR18N90P
IXFR18N90P
$0 $/morceau
SQ2308CES-T1_BE3
SUD40N08-16-E3
SUD40N08-16-E3
$0 $/morceau
FDS7088N7
PMPB215ENEA/FX
STP9NK50ZFP
STP9NK50ZFP
$0 $/morceau
DMP3018SFK-7

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