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SIDR392DP-T1-RE3

SIDR392DP-T1-RE3

SIDR392DP-T1-RE3

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

compliant

SIDR392DP-T1-RE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.82000 $1.82
500 $1.8018 $900.9
1000 $1.7836 $1783.6
1500 $1.7654 $2648.1
2000 $1.7472 $3494.4
2500 $1.729 $4322.5
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 82A (Ta), 100A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 0.62mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 188 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 9530 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8DC
paquet / étui PowerPAK® SO-8
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Numéro de pièce associé

SI4124DY-T1-E3
SI4124DY-T1-E3
$0 $/morceau
RF4L055GNTCR
RF4L055GNTCR
$0 $/morceau
FQA6N80
FQA6N80
$0 $/morceau
DMTH6004LPSQ-13
MSC750SMA170B4
SUP10250E-GE3
SUP10250E-GE3
$0 $/morceau
MCH3375-TL-H
MCH3375-TL-H
$0 $/morceau
IPB024N10N5ATMA1

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