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SIHA100N60E-GE3

SIHA100N60E-GE3

SIHA100N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 30A TO220

compliant

SIHA100N60E-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $5.57000 $5.57
10 $4.97500 $49.75
100 $4.07930 $407.93
500 $3.30324 $1651.62
1,000 $2.78586 -
3,000 $2.64657 -
1026 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 30A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 100mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1851 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 35W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220 Full Pack
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

BSS138BKAHZGT116
STP110N8F7
STP110N8F7
$0 $/morceau
ISP12DP06NMXTSA1
STW7N95K3
STW7N95K3
$0 $/morceau
NTD24N06-1G
NTD24N06-1G
$0 $/morceau
NTMFS4C05NT1G
NTMFS4C05NT1G
$0 $/morceau
NTTFS4930NTAG
NTTFS4930NTAG
$0 $/morceau
IPW65R660CFDFKSA1
AO7408

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