Welcome to ichome.com!

logo
Maison

SIHA11N80E-GE3

SIHA11N80E-GE3

SIHA11N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 12A TO220

non conforme

SIHA11N80E-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $3.92000 $3.92
10 $3.50400 $35.04
100 $2.87290 $287.29
500 $2.32632 $1163.16
1,000 $1.96196 -
2,500 $1.86386 -
5,000 $1.79379 -
446 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 800 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 12A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 440mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 88 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1670 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 34W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220 Full Pack
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
Le chargement du PDF a échoué, vous pouvez essayer de l'ouvrir dans une nouvelle fenêtre pour y accéder [Ouvrir], ou cliquez pour revenir

Numéro de pièce associé

TN0604N3-G
TN0604N3-G
$0 $/morceau
APT20M11JVR
BSC0802LSATMA1
FDFMA2P029Z
FDFMA2P029Z
$0 $/morceau
IPP60R380C6XKSA1
NVMFS020N06CT1G
NVMFS020N06CT1G
$0 $/morceau
IRF7832TRPBF
IRFS9N60ATRLPBF
DMP2109UVT-13
IXTA50N25T-TRL
IXTA50N25T-TRL
$0 $/morceau

Votre partenaire fiable en électronique

Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.