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SIHA120N60E-GE3

SIHA120N60E-GE3

SIHA120N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 25A TO220

compliant

SIHA120N60E-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $6.00000 $6
10 $5.37600 $53.76
100 $4.44150 $444.15
500 $3.63244 $1816.22
1,000 $3.09304 -
2,500 $2.94782 -
9 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 25A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 120mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1562 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 34W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220 Full Pack
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

IPB031N08N5ATMA1
STH145N8F7-2AG
STL25N15F3
STL25N15F3
$0 $/morceau
STF15N95K5
STF15N95K5
$0 $/morceau
SIE818DF-T1-GE3
BSC020N03LSGATMA1
DMN2710UT-7
DMN2710UT-7
$0 $/morceau
STQ1HN60K3-AP
SCH1439-TL-W
SCH1439-TL-W
$0 $/morceau

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