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SIHA12N60E-E3

SIHA12N60E-E3

SIHA12N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 12A TO220

non conforme

SIHA12N60E-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $2.78000 $2.78
10 $2.51300 $25.13
100 $2.01960 $201.96
500 $1.57080 $785.4
1,000 $1.30152 -
3,000 $1.21176 -
5,000 $1.16688 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 12A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 58 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 937 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 33W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220 Full Pack
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

NVB60N06T4G
NVB60N06T4G
$0 $/morceau
2SK2848
2SK2848
$0 $/morceau
STB24NM60N
STB24NM60N
$0 $/morceau
FQN1N60CTA
IPB107N20N3GATMA1
IPI80N06S4L07AKSA2
DMP3007LSS-13
IPI120N04S302AKSA1

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