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SIHA15N60E-GE3

SIHA15N60E-GE3

SIHA15N60E-GE3

N-CHANNEL 600V

compliant

SIHA15N60E-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $3.21000 $3.21
500 $3.1779 $1588.95
1000 $3.1458 $3145.8
1500 $3.1137 $4670.55
2000 $3.0816 $6163.2
2500 $3.0495 $7623.75
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 15A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 280mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 76 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1350 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 34W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220 Full Pack
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

IPL60R125P7AUMA1
SI7852DP-T1-E3
SI7852DP-T1-E3
$0 $/morceau
SIS488DN-T1-GE3
HUFA75337S3ST
MCH3477-TL-W
MCH3477-TL-W
$0 $/morceau
SIDR668ADP-T1-RE3
NVD14N03RT4G
NVD14N03RT4G
$0 $/morceau
NVMFS5C456NLWFAFT3G
NVMFS5C456NLWFAFT3G
$0 $/morceau
NVTYS010N06CLTWG
NVTYS010N06CLTWG
$0 $/morceau
R6020ENX
R6020ENX
$0 $/morceau

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