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SIHA17N80AEF-GE3

SIHA17N80AEF-GE3

SIHA17N80AEF-GE3

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

compliant

SIHA17N80AEF-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $3.12000 $3.12
500 $3.0888 $1544.4
1000 $3.0576 $3057.6
1500 $3.0264 $4539.6
2000 $2.9952 $5990.4
2500 $2.964 $7410
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 800 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6.5A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 305mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 63 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1300 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 34W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220 Full Pack
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

AUIRFR8405
IXFK88N30P
IXFK88N30P
$0 $/morceau
IRFD213
IRFD213
$0 $/morceau
MCQ08N06-TP
MCQ08N06-TP
$0 $/morceau
FDS6679Z
NTMFS4846NT1G
NTMFS4846NT1G
$0 $/morceau
STFW12N120K5
STFW12N120K5
$0 $/morceau
SI7726DN-T1-GE3
SIS434DN-T1-GE3
DMP510DL-7
DMP510DL-7
$0 $/morceau

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