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SIHA186N60EF-GE3

SIHA186N60EF-GE3

SIHA186N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220

compliant

SIHA186N60EF-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $2.99000 $2.99
500 $2.9601 $1480.05
1000 $2.9302 $2930.2
1500 $2.9003 $4350.45
2000 $2.8704 $5740.8
2500 $2.8405 $7101.25
2000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 8.4A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 193mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1081 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 156W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220 Full Pack
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

TP65H035G4WSQA
TP65H035G4WSQA
$0 $/morceau
SIJ150DP-T1-GE3
NVMFS025P04M8LT1G
NVMFS025P04M8LT1G
$0 $/morceau
2SK2498-AZ
2SK2498-AZ
$0 $/morceau
RF1S640SM
RF1S640SM
$0 $/morceau
DMT3003LFG-7

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