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SIHA22N60AE-E3

SIHA22N60AE-E3

SIHA22N60AE-E3

MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220

non conforme

SIHA22N60AE-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $4.00000 $4
10 $3.57500 $35.75
100 $2.93150 $293.15
500 $2.37380 $1186.9
1,000 $2.00200 -
3,000 $1.90190 -
5,000 $1.83040 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 20A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 96 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1451 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 33W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220 Full Pack
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

SQA401CEJW-T1_GE3
IRFR120NTRPBF
STP35N60DM2
STP35N60DM2
$0 $/morceau
FQP17P06
FQP17P06
$0 $/morceau
TPH3212PS
TPH3212PS
$0 $/morceau
SPD07N60S5BTMA1
SIHFL110TR-GE3
SIHFL110TR-GE3
$0 $/morceau
TPS1100DR
TPS1100DR
$0 $/morceau
FQA7N90
FQA7N90
$0 $/morceau
RD3G600GNTL
RD3G600GNTL
$0 $/morceau

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