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SIHF080N60E-GE3

SIHF080N60E-GE3

SIHF080N60E-GE3

E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL

non conforme

SIHF080N60E-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $4.56000 $4.56
500 $4.5144 $2257.2
1000 $4.4688 $4468.8
1500 $4.4232 $6634.8
2000 $4.3776 $8755.2
2500 $4.332 $10830
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 14A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 80mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 63 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2557 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 35W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220 Full Pack
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

HUF76407D3
PJE8407_R1_00001
IPI90R1K0C3
PMPB12R5EPX
PMPB12R5EPX
$0 $/morceau
STP60NF06L
STP60NF06L
$0 $/morceau
FQB5N40TM
SIHP5N80AE-GE3
SIHP5N80AE-GE3
$0 $/morceau
SISS32ADN-T1-GE3
IPB180P04P4L02ATMA2

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