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SIHF12N60E-E3

SIHF12N60E-E3

SIHF12N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 12A TO220

compliant

SIHF12N60E-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $3.19000 $3.19
10 $2.89400 $28.94
100 $2.34330 $234.33
500 $1.84276 $921.38
1,000 $1.54245 -
2,500 $1.44235 -
5,000 $1.39230 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 12A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 58 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 937 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 33W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220 Full Pack
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

BSS192PH6327FTSA1
RS1E180BNTB
RS1E180BNTB
$0 $/morceau
PMPB16XNEA115
PMPB16XNEA115
$0 $/morceau
DMT43M8LFV-7
RM24N200TI
RM24N200TI
$0 $/morceau
IXTQ69N30P
IXTQ69N30P
$0 $/morceau
AO7414
FDB0300N1007L
FDB0300N1007L
$0 $/morceau

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