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SIHF12N65E-GE3

SIHF12N65E-GE3

SIHF12N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 12A TO220

compliant

SIHF12N65E-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $2.89000 $2.89
10 $2.62400 $26.24
100 $2.12440 $212.44
500 $1.67062 $835.31
1,000 $1.39838 -
3,000 $1.30763 -
5,000 $1.26225 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 12A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1224 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 33W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220 Full Pack
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

SI7880ADP-T1-E3
SPP24N60C3XKSA1
IRLR3410TRRPBF
IRLI3705NPBF
IRLU014PBF
IRLU014PBF
$0 $/morceau
PSMN014-80YLX
PSMN014-80YLX
$0 $/morceau
IXTQ16N50P
IXTQ16N50P
$0 $/morceau
IXFN170N10
IXFN170N10
$0 $/morceau

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